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PDM4M6212S60M

更新时间: 2024-01-07 23:19:18
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其他 - ETC 静态存储器
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8页 396K
描述
x64 Interleaved Burst Mode SRAM Module

PDM4M6212S60M 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIMM, DIMM160
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.84
最长访问时间:20 ns最大时钟频率 (fCLK):60 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDMA-N160
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:CACHE TAG SRAM MODULE
内存宽度:64端子数量:160
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX64
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM160
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行:PARALLEL电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified最小待机电流:3 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.9 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL

PDM4M6212S60M 数据手册

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