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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIMM, DIMM160 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 20 ns | 其他特性： | 16K X 8 CACHE TAG |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 60 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-N160 | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | CACHE TAG SRAM MODULE | 内存宽度： | 64 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 160 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64KX64 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIMM | 封装等效代码： | DIMM160 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 3.3,5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最小待机电流： | 3 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.9 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| PDM4M6203S66M | ETC | x64 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
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| PDM4M6212S50M | ETC | x64 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
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| PDM4M6212S60M | ETC | x64 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
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| PDM4M6212S66M | ETC | x64 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
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| PDM4M6213S50M | ETC | x64 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
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| PDM4M6213S60M | ETC | x64 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
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