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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIMM, DIMM136 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 10 ns | 备用内存宽度： | 72 |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDMA-N160 |
| 内存密度： | 4718592 bit | 内存集成电路类型： | CACHE SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 36 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 160 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128KX36 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIMM |
| 封装等效代码： | DIMM136 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.12 A | 最小待机电流： | 4.75 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 1 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| PDM4M6141S8M | ETC | x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
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| PDM4M6141S9M | ETC | x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
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| PDM4M6181S10M | ETC | x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
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| PDM4M6181S8M | ETC | x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
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| PDM4M6181S9M | ETC | x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
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| PDM4M6182S10M | ETC | x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
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