生命周期: | Obsolete | 包装说明: | DIMM, DIMM136 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 10 ns | 备用内存宽度: | 72 |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-XDMA-N160 |
内存密度: | 4718592 bit | 内存集成电路类型: | CACHE SRAM MODULE |
内存宽度: | 36 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 160 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128KX36 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIMM |
封装等效代码: | DIMM136 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.12 A | 最小待机电流: | 4.75 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 1 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PDM4M6141S8M | ETC |
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x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module | |
PDM4M6141S9M | ETC |
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x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module | |
PDM4M6181S10M | ETC |
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x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module | |
PDM4M6181S8M | ETC |
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x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module | |
PDM4M6181S9M | ETC |
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x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module | |
PDM4M6182S10M | ETC |
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x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module | |
PDM4M6182S8M | ETC |
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x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module | |
PDM4M6182S9M | ETC |
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x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module | |
PDM4M6189S12M | ETC |
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x64 SRAM Module | |
PDM4M6189S15M | ETC |
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x64 SRAM Module |