是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | ZIP |
包装说明: | ZIP-72 | 针数: | 72 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.65 |
最长访问时间: | 20 ns | JESD-30 代码: | R-XZMA-T72 |
内存密度: | 16777216 bit | 内存集成电路类型: | SRAM MODULE |
内存宽度: | 32 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 72 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 512KX32 | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | ZIG-ZAG | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PDM4M4110S25M | IXYS |
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SRAM Module, 512KX32, 25ns, CMOS, SIMM-72 | |
PDM4M4110S25Z | IXYS |
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SRAM Module, 512KX32, 25ns, CMOS, ZIP-72 | |
PDM4M4110S35M | IXYS |
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SRAM Module, 512KX32, 35ns, CMOS, SIMM-72 | |
PDM4M4110S35Z | IXYS |
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SRAM Module, 512KX32, 35ns, CMOS, ZIP-72 | |
PDM4M4120S35M | ETC |
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x32 SRAM Module | |
PDM4M4120S35Z | ETC |
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x32 SRAM Module | |
PDM4M6125S33M | IXYS |
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Cache Tag SRAM Module, 64KX32, 30ns, CMOS, PDMA112 | |
PDM4M6140S10M | ETC |
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x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module | |
PDM4M6140S8M | ETC |
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x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module | |
PDM4M6140S9M | ETC |
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x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module |