是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | ZIP, ZIP72/76,.1,.1 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.92 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 35 ns |
其他特性: | CONFIGURABLE AS 1M X 32 | 备用内存宽度: | 16 |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-XSMA-N72 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 33554432 bit |
内存集成电路类型: | SRAM MODULE | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 72 | 字数: | 4194304 words |
字数代码: | 4000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 4MX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | ZIP | 封装等效代码: | ZIP72/76,.1,.1 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.12 A | 最小待机电流: | 4.75 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 1.28 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
PDM4M4120S35Z | ETC | x32 SRAM Module |
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PDM4M6125S33M | IXYS | Cache Tag SRAM Module, 64KX32, 30ns, CMOS, PDMA112 |
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PDM4M6140S10M | ETC | x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
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PDM4M6140S8M | ETC | x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
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PDM4M6140S9M | ETC | x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
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PDM4M6141S10M | ETC | x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
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