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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIMM, DIMM136 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 8 ns |
| 备用内存宽度： | 72 | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-N160 | 内存密度： | 2359296 bit |
| 内存集成电路类型： | CACHE SRAM MODULE | 内存宽度： | 36 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 160 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64KX36 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIMM | 封装等效代码： | DIMM136 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.12 A |
| 最小待机电流： | 4.75 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 1 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| PDM4M6140S9M | ETC | x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
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| PDM4M6141S10M | ETC | x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
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| PDM4M6141S8M | ETC | x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
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| PDM4M6141S9M | ETC | x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
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| PDM4M6181S10M | ETC | x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
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| PDM4M6181S8M | ETC | x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
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