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PDM4M4110S25Z

更新时间： 2024-02-16 12:52:22

品牌	Logo	应用领域
IXYS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	215K
描述
SRAM Module, 512KX32, 25ns, CMOS, ZIP-72

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PDM4M4110S25Z 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	ZIP, ZIP72/76,.1,.1	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.68	最长访问时间：	25 ns
其他特性：	USER CONFIGURABLE AS 512K X 32	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PZMA-T72	JESD-609代码：	e0
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	SRAM MODULE
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	72
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	ZIP
封装等效代码：	ZIP72/76,.1,.1	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.06 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.68 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	ZIG-ZAG
Base Number Matches：	1

PDM4M4110S25Z 数据手册

PRELIMINARY

PDM4M4110

512K x 32 CMOS

Static RAM Module

The PDM4M4110 is packaged in a 72-pin FR-4 ZIP

(Zig-zag In-line vertical Package) or a 72-pin SIMM

(Single In-line Memory Module). The ZIP conﬁgura-

Features

■ High-density 2 megabyte Static RAM module

■ Low proﬁle 72-pin ZIP (Zig-zag In-line vertical

Package) or 72-pin SIMM (Single In-line Memory

Module)

_{tion allows 72 pins to be placed on a package 3.95"}2

long and 0.250" wide. At only 0.600" high, this low-

proﬁle package is ideal for systems with minimum

board spacing. The SIMM conﬁguration allows use of

■ Fast access time: 15 ns (max.)

■ Surface mounted plastic components on an epoxy

laminate (FR-4) substrate Single 5V (±10%) power

supply

■ Multiple V pins and decoupling capacitors for

maximum noise immunity

■ Inputs/outputs directly TTL compatible

edge mounted sockets to secure the module.

All inputs and outputs of the PDM4M4110 are TTL

compatible and operate from a single 5V supply. Mul-

tiple ground pins and on board decoupling capacitors

provide maximum immunity from noise.

Four identiﬁcation pins (PD0, PD1, PD2, PD3) are pro-

vided for applications in which different density

versions of the module are used. In this way, the tar-

get system can read the respective levels of PD0, PD1,

PD2, PD3 to determine a 512K depth.

Description

The PDM4M4110 is a 512K x 32 static RAM module

constructed on an epoxy laminate (FR-4) substrate

using four (4) 512K x 8 static RAMs in plastic SOJ

packages. Availability of four chip select lines pro-

vides byte access. The PDM4M4110 is available with

access times as fast as 15 ns with minimal power

consumption.

Functional Block Diagram

CS1

CS2

CS3

CS4

A18-A0

PD3-PD0

512K x 32

RAM

I/O31-I/O0

Rev 2.3 - 1/15/96

8-65

12 3 4 5 6 7...10

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与PDM4M4110S25Z相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
PDM4M4110S35M	IXYS	SRAM Module, 512KX32, 35ns, CMOS, SIMM-72	获取价格
PDM4M4110S35Z	IXYS	SRAM Module, 512KX32, 35ns, CMOS, ZIP-72	获取价格
PDM4M4120S35M	ETC	x32 SRAM Module	获取价格
PDM4M4120S35Z	ETC	x32 SRAM Module	获取价格
PDM4M6125S33M	IXYS	Cache Tag SRAM Module, 64KX32, 30ns, CMOS, PDMA112	获取价格
PDM4M6140S10M	ETC	x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module	获取价格

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