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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | ZIP, ZIP72/76,.1,.1 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.68 | 最长访问时间： | 25 ns |
| 其他特性： | USER CONFIGURABLE AS 512K X 32 | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PZMA-T72 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 72 |
| 字数： | 2097152 words | 字数代码： | 2000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 2MX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | ZIP |
| 封装等效代码： | ZIP72/76,.1,.1 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.06 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.68 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | ZIG-ZAG |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| PDM4M4110S35M | IXYS | SRAM Module, 512KX32, 35ns, CMOS, SIMM-72 |
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| PDM4M4110S35Z | IXYS | SRAM Module, 512KX32, 35ns, CMOS, ZIP-72 |
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| PDM4M4120S35M | ETC | x32 SRAM Module |
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| PDM4M4120S35Z | ETC | x32 SRAM Module |
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| PDM4M6125S33M | IXYS | Cache Tag SRAM Module, 64KX32, 30ns, CMOS, PDMA112 |
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| PDM4M6140S10M | ETC | x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
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