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PDM4M4110S35M

更新时间： 2024-02-26 17:50:25

品牌	Logo	应用领域
IXYS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	215K
描述
SRAM Module, 512KX32, 35ns, CMOS, SIMM-72

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PDM4M4110S35M 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIMM
包装说明：	,	针数：	72
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.65
最长访问时间：	35 ns	JESD-30 代码：	R-XSMA-N72
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	SRAM MODULE
内存宽度：	32	功能数量：	1
端子数量：	72	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX32	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

PDM4M4110S35M 数据手册

PRELIMINARY

PDM4M4110

512K x 32 CMOS

Static RAM Module

The PDM4M4110 is packaged in a 72-pin FR-4 ZIP

(Zig-zag In-line vertical Package) or a 72-pin SIMM

(Single In-line Memory Module). The ZIP conﬁgura-

Features

■ High-density 2 megabyte Static RAM module

■ Low proﬁle 72-pin ZIP (Zig-zag In-line vertical

Package) or 72-pin SIMM (Single In-line Memory

Module)

_{tion allows 72 pins to be placed on a package 3.95"}2

long and 0.250" wide. At only 0.600" high, this low-

proﬁle package is ideal for systems with minimum

board spacing. The SIMM conﬁguration allows use of

■ Fast access time: 15 ns (max.)

■ Surface mounted plastic components on an epoxy

laminate (FR-4) substrate Single 5V (±10%) power

supply

■ Multiple V pins and decoupling capacitors for

maximum noise immunity

■ Inputs/outputs directly TTL compatible

edge mounted sockets to secure the module.

All inputs and outputs of the PDM4M4110 are TTL

compatible and operate from a single 5V supply. Mul-

tiple ground pins and on board decoupling capacitors

provide maximum immunity from noise.

Four identiﬁcation pins (PD0, PD1, PD2, PD3) are pro-

vided for applications in which different density

versions of the module are used. In this way, the tar-

get system can read the respective levels of PD0, PD1,

PD2, PD3 to determine a 512K depth.

Description

The PDM4M4110 is a 512K x 32 static RAM module

constructed on an epoxy laminate (FR-4) substrate

using four (4) 512K x 8 static RAMs in plastic SOJ

packages. Availability of four chip select lines pro-

vides byte access. The PDM4M4110 is available with

access times as fast as 15 ns with minimal power

consumption.

Functional Block Diagram

CS1

CS2

CS3

CS4

A18-A0

PD3-PD0

512K x 32

RAM

I/O31-I/O0

Rev 2.3 - 1/15/96

8-65

12 3 4 5 6 7...10

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与PDM4M4110S35M相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
PDM4M4110S35Z	IXYS	SRAM Module, 512KX32, 35ns, CMOS, ZIP-72	获取价格
PDM4M4120S35M	ETC	x32 SRAM Module	获取价格
PDM4M4120S35Z	ETC	x32 SRAM Module	获取价格
PDM4M6125S33M	IXYS	Cache Tag SRAM Module, 64KX32, 30ns, CMOS, PDMA112	获取价格
PDM4M6140S10M	ETC	x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module	获取价格
PDM4M6140S8M	ETC	x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module	获取价格

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