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PDM4M4110S20Z PDF预览

PDM4M4110S20Z

更新时间： 2024-02-28 14:29:21
品牌 Logo 应用领域
IXYS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 215K
描述
SRAM Module, 512KX32, 20ns, CMOS, ZIP-72

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PDM4M4110S20Z 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：ZIP
包装说明：ZIP-72针数：72
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.65
最长访问时间：20 nsJESD-30 代码：R-XZMA-T72
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：SRAM MODULE
内存宽度：32功能数量：1
端子数量：72字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：512KX32封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：ZIG-ZAG处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

PDM4M4110S20Z 数据手册

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PRELIMINARY  
PDM4M4110  
DC Electrical Characteristics (V = 5.0V ± 10%, T = 0°C to +70°C)  
CC  
A
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Max.  
Unit  
I
I
I
Input Leakage Current  
(Address and Control)  
V
V
V
= Max.,V = V to V  
CC  
—
40  
µA  
LI  
CC  
IN  
SS  
Input Leakage Current  
(Data)  
= Max., V = V to V  
CC  
—
—
10  
10  
µA  
µA  
LI  
CC  
IN  
SS  
Output Leakage Current  
= V to V , V = Max.,  
SS CC CC  
LO  
OUT  
CS = V  
IH  
V
V
V
V
Output Low Voltage  
Output High Voltage  
Input High Voltage  
Input Low Voltage  
I
I
= 8 mA, V = Min.  
—
0.4  
—
V
V
V
V
OL  
OH  
IH  
OL  
OL  
CC  
= –4 mA, V = Min.  
2.4  
2.2  
CC  
6.0  
0.8  
(1)  
–0.5  
IL  
NOTE 1. V = –2.0V for pulse widths less than 10 ns, once per cycle.  
IL  
Power Supply Characteristics  
(1)  
Symbol  
Parameter  
Max  
Unit  
I
I
I
Operating Current  
680  
160  
60  
mA  
CC  
CS = V , V = Max., f = f , Outputs Open  
IL  
CC  
MAX  
Standby Current  
CS ≥ V , V = Max., f = f , Outputs Open  
MAX  
mA  
mA  
SB  
IH  
CC  
Full Standby Current CS ≥ V – 0.2V,  
SB1  
CC  
f = 0, V > V – 0.2V or < 0.2V  
IN  
CC  
NOTE 1. Preliminary specification only.  
Capacitance(1) (T = +25°C, f = 1.0 MHz)  
A
Symbol  
Parameter  
Input Capacitance, (Data) V = 0V  
Max.  
Unit  
C
C
C
12  
40  
12  
pF  
pF  
pF  
IN(D)  
IN(A)  
OUT  
IN  
Input Capacitance, (Address and Control) V = 0V  
IN  
Input Capacitance, V  
= 0V  
OUT  
NOTE 1. This parameter is determined by device characteristics but is not production tested.  
Rev 2.3
1234567...10

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