是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | SC-73 |
包装说明: | PLASTIC, SC-73, 4 PIN | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.75 | 风险等级: | 5.05 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 3 A | 集电极-发射极最大电压: | 50 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 200 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | PNP | 最大功率耗散 (Abs): | 2 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 100 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
DJT4030P-13 | DIODES |
功能相似 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 | |
FZT1151ATA | DIODES |
功能相似 |
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR | |
FZT749 | FAIRCHILD |
功能相似 |
PNP Low Saturation Transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PBSS5350Z,135 | NXP |
获取价格 |
PBSS5350Z - 50 V low VCEsat PNP transistor SC-73 4-Pin | |
PBSS5350Z/T3 | NXP |
获取价格 |
3A, 50V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, SC-73, 4 PIN | |
PBSS5350Z-Q | NEXPERIA |
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50 V, 3 A PNP low VCEsat transistorProduction | |
PBSS5360PAS | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 3A PNP low VCEsat transistorProduction | |
PBSS5360PAS-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 3A PNP low VCEsat transistorProduction | |
PBSS5360X | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction | |
PBSS5360Z | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 3 A PNP low VCEsat transistorProduction | |
PBSS5360Z-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 3 A PNP low VCEsat transistorProduction | |
PBSS5420D | NXP |
获取价格 |
20 V, 4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor | |
PBSS5420D | NEXPERIA |
获取价格 |
20 V, 4 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction |