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PBSS5350Z

更新时间: 2024-11-13 22:36:15
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
12页 78K
描述
50 V low VCEsat PNP transistor

PBSS5350Z 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SC-73
包装说明:PLASTIC, SC-73, 4 PIN针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.05
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):200
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

PBSS5350Z 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
handbook, halfpage  
PBSS5350Z  
50 V low VCEsat PNP transistor  
Product specification  
2003 May 13  
Supersedes data of 2003 Jan 20  

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