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FZT1151ATA

更新时间: 2024-09-13 11:51:47
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美台 - DIODES 晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 100K
描述
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

FZT1151ATA 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOT-223
包装说明:SOT-223, 4 PIN针数:4
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:15 weeks风险等级:1.01
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):145 MHzBase Number Matches:1

FZT1151ATA 数据手册

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PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
HIGH GAIN TRANSISTOR  
ISSUE 1 - JANUARY 1997  
FZT1151A  
FEATURES  
C
*
*
*
*
*
VCEO= -40V  
3 Amp Continuous Current  
5 Amp Pulse Current  
Low saturation Voltage  
High Gain  
E
C
B
SOT223  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Peak Pulse Current  
-45  
-40  
V
-5  
V
-5  
-3  
A
Continuous Collector Current  
Base Current  
IC  
A
IB  
-500  
mA  
W
°C  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Ptot  
2.5  
Operating and Storage Temperature  
Range  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
† The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on  
a P.C.B. with copper equal to 2 inches x 2 inches  

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