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FZT2222ATA PDF预览

FZT2222ATA

更新时间： 2024-10-30 21:17:55
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 62K
描述
Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN

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FZT2222ATA 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-223
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.18
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PDSO-G4
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHzBase Number Matches：1

FZT2222ATA 数据手册

 浏览型号FZT2222ATA的Datasheet PDF文件第2页 
SOT223 NPN SILICON PLANAR  
SWITCHING TRANSISTOR  
ISSUE 3 - OCTOBER 1995  
FZT2222A  
FEATURES  
*
*
40 Volt VCEO  
C
Fast switching  
COMPLEMENTARY TYPE -  
PARTMARKING DETAIL -  
FZT2907A  
FZT2222A  
E
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
75  
Collector-Emitter Voltage  
40  
V
Emitter-Base Voltage  
5
600  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
mA  
W
Ptot  
2
Tj:Tstg  
-55 to+150  
°C  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL  
VALUE  
MIN. MAX.  
75  
UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base Breakdown V(BR)CBO  
Voltage  
V
V
V
IC=10µA, IE=0  
IC=10mA, IB=0 *  
IE=10µA, IC=0  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
40  
6
Emitter-Base Breakdown  
Voltage  
Collector Cut-Off Current  
10  
10  
nA  
µA  
VCB=50V, IE=0  
VCB=50V, IE=0, Tamb=150°C  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
ICEX  
10  
10  
nA  
nA  
VEB=3V, IC=0  
Collector-Emitter Cut-Off  
Current  
VCE=60V, VEB(off)=3V  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
hFE  
0.3  
1.0  
V
V
IC=150mA, IB=15mA*  
IC=500mA, IB=50mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
0.6  
1.2  
2.0  
V
V
IC=150mA, IB=15mA*  
IC=500mA, IB=50mA*  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
35  
50  
75  
35  
100  
50  
40  
IC=0.1mA, VCE=10V*  
IC=1mA, VCE=10V *  
IC=10mA, VCE=10V*  
IC=10mA, VCE=10V,Tamb=-55°C*  
IC=150mA, VCE=10V*  
IC=150mA, VCE=1V*  
300  
IC=500mA, VCE=10V*  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
Spice parameter data is available upon request for this device  
3 - 296  
12

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