5秒后页面跳转
PBSS5440D/T1 PDF预览

PBSS5440D/T1

更新时间: 2024-11-14 17:59:27
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 130K
描述
TRANSISTOR 4000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SMD, SC-74, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal

PBSS5440D/T1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SC-74
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数:6
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.33最大集电极电流 (IC):4 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):30JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:6最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):110 MHz
Base Number Matches:1

PBSS5440D/T1 数据手册

 浏览型号PBSS5440D/T1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PBSS5440D/T1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PBSS5440D/T1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PBSS5440D/T1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PBSS5440D/T1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PBSS5440D/T1的Datasheet PDF文件第7页 
PBSS5440D  
40 V PNP low VCEsat (BISS) transistor  
Rev. 01 — 27 April 2005  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
PNP low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) single bipolar PNP transistor in a  
SOT457 (SC-74) SMD plastic package.  
NPN complement: PBSS4440D  
1.2 Features  
Ultra low collector-emitter saturation voltage VCEsat  
4 A continuous collector current capability IC (DC)  
Up to 15 A peak current  
Very low collector-emitter saturation resistance  
High efficiency due to less heat generation  
1.3 Applications  
Power management functions  
Charging circuits  
DC-to-DC conversion  
MOSFET gate driving  
Power switches (e.g. motors, fans)  
Thin Film Transistor (TFT) backlight inverter  
1.4 Quick reference data  
Table 1:  
Symbol  
VCEO  
IC  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max Unit  
collector-emitter voltage  
collector current (DC)  
peak collector current  
open base  
-
-
-
-
-
-
40  
4  
V
A
A
[1]  
[2]  
ICM  
t = 1 ms or limited by  
Tj(max)  
15  
RCEsat  
collector-emitter saturation IC = 6 A;  
resistance IB = 600 mA  
-
55  
75  
mΩ  
[1] Device mounted on a ceramic Printed-Circuit Board (PCB), AL2O3, standard footprint.  
[2] Pulse test: tp 300 µs; δ ≤ 0.02.  

与PBSS5440D/T1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PBSS5440D/T2 NXP

获取价格

TRANSISTOR 4000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SMD, SC-74, 6 PIN, BI
PBSS5440D-Q NEXPERIA

获取价格

40 V, 4 A PNP low VCEsat transistorProduction
PBSS5480X NEXPERIA

获取价格

80 V, 4 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction
PBSS5480X NXP

获取价格

80 V, 4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
PBSS5480X,135 NXP

获取价格

PBSS5480X - 80 V, 4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor SOT-89 3-Pin
PBSS5520X NXP

获取价格

20 V, 5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
PBSS5520X NEXPERIA

获取价格

20 V, 5 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction
PBSS5520X,135 NXP

获取价格

PBSS5520X - 20 V, 5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor SOT-89 3-Pin
PBSS5540X NXP

获取价格

40 V, 5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
PBSS5540X NEXPERIA

获取价格

40 V, 5 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction