5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.4 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 | JESD-30 代码： | S-PDSO-N3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 110 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 445 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 100 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| PBSS5330PA | NXP |
类似代替  |
30 V, 3 A PNP low VCEsat transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PBSS5580PA,115 | NXP |
获取价格 |
PBSS5580PA - 80 V, 4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor DFN 3-Pin |
|
| PBSS5612PA,115 | ETC |
获取价格 |
TRANS PNP 12V 6A SOT1061 |
|
| PBSS5620PA | NEXPERIA |
获取价格 |
20 V, 6 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction |
|
| PBSS5620PA | NXP |
获取价格 |
6000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2 X 2 MM, 0.65 MM HEIGHT, PLASTIC PACKAGE-3 |
|
| PBSS5620PA,115 | NXP |
获取价格 |
PBSS5620PA - 20 V, 6 A PNP low VCEsat (BISS) transistor DFN 3-Pin |
|
| PBSS5630PA | NXP |
获取价格 |
30 V, 6 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
|
| PBSS5630PA | NEXPERIA |
获取价格 |
30 V, 6 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction |
|
| PBSS5630PA,115 | ETC |
获取价格 |
TRANS PNP 30V 6A SOT1061 |
|
| PBSS8110D | NXP |
获取价格 |
100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
|
| PBSS8110D | NEXPERIA |
获取价格 |
100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
