是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.69 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 1 A |
集电极-发射极最大电压: | 100 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 150 | JEDEC-95代码: | TO-243AA |
JESD-30 代码: | R-PSSO-F3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | NPN | 参考标准: | IEC-60134 |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 100 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
PBSS8110X,135 | NXP |
功能相似 |
PBSS8110X - 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor SOT-89 3-Pin |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PBSS8110X,135 | NXP |
获取价格 |
PBSS8110X - 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor SOT-89 3-Pin | |
PBSS8110X-1 | NXP |
获取价格 |
100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor | |
PBSS8110Y | NXP |
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100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor | |
PBSS8110Y | NEXPERIA |
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100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction | |
PBSS8110Y,115 | NXP |
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PBSS8110Y - 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor TSSOP 6-Pin | |
PBSS8110Z | NXP |
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100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor | |
PBSS8110Z | NEXPERIA |
获取价格 |
100 V, 1 A NPN low VCesat (BISS) transistorProduction | |
PBSS8510PA | NEXPERIA |
获取价格 |
100 V, 5.2 A NPN low V_CEsat (BISS) transistorProduction | |
PBSS8510PA | NXP |
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5200mA, 100V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2 X 2 MM, 0.65 MM HEIGHT, ULTRA THIN, PLAS | |
PBSS8510PA,115 | NXP |
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PBSS8510PA - 100 V, 5.2 A NPN low V_CEsat (BISS) transistor DFN 3-Pin |