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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TSSOP | 包装说明： | PLASTIC, SC-88, 6 PIN |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.4 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 150 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.625 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| PBSS9110Y | NEXPERIA |
功能相似  |
100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PBSS9110Z | NXP |
获取价格 |
Low VCEsat (BISS) transistors |
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| PBSS9110Z | NEXPERIA |
获取价格 |
100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS9110Z,135 | NXP |
获取价格 |
PBSS9110Z - 100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor SC-73 4-Pin |
|
| PBSS9410PA | NEXPERIA |
获取价格 |
100 V, 2.7 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS9410PA,115 | NXP |
获取价格 |
PBSS9410PA - 100 V, 2.7 A PNP low VCEsat (BISS) transistor DFN 3-Pin |
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| PBT05 | EDI |
获取价格 |
27.5 AMPERES THREE-PHASE FULL-WAVE BRIDGES HEAT SINK AND CHASSIS MOUNTING |
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| PBT10 | EDI |
获取价格 |
27.5 AMPERES THREE-PHASE FULL-WAVE BRIDGES HEAT SINK AND CHASSIS MOUNTING |
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| PBT100 | EDI |
获取价格 |
27.5 AMPERES THREE-PHASE FULL-WAVE BRIDGES HEAT SINK AND CHASSIS MOUNTING |
|
| PBT120 | EDI |
获取价格 |
27.5 AMPERES THREE-PHASE FULL-WAVE BRIDGES HEAT SINK AND CHASSIS MOUNTING |
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| PBT140 | EDI |
获取价格 |
27.5 AMPERES THREE-PHASE FULL-WAVE BRIDGES HEAT SINK AND CHASSIS MOUNTING |
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