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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | PLASTIC, TO-236AB, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.31 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 150 |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.48 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| PBSS8110T,215 | NXP |
完全替代  |
PBSS8110T - 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor TO-236 3-Pin |
|
| PBSS8110D,115 | NXP |
类似代替 |
PBSS8110D - 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor TSOP 6-Pin |
|
| PBSS8110S | NXP |
类似代替 |
100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PBSS8110T,215 | NXP |
获取价格 |
PBSS8110T - 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor TO-236 3-Pin |
|
| PBSS8110T-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
100 V, 1 A NPN low VCEsat transistorProduction |
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| PBSS8110X | NXP |
获取价格 |
100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
|
| PBSS8110X | NEXPERIA |
获取价格 |
100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
|
| PBSS8110X,135 | NXP |
获取价格 |
PBSS8110X - 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor SOT-89 3-Pin |
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| PBSS8110X-1 | NXP |
获取价格 |
100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS8110Y | NXP |
获取价格 |
100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
|
| PBSS8110Y | NEXPERIA |
获取价格 |
100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
|
| PBSS8110Y,115 | NXP |
获取价格 |
PBSS8110Y - 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor TSSOP 6-Pin |
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| PBSS8110Z | NXP |
获取价格 |
100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
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