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PBSS5440D/T2

更新时间： 2024-11-14 17:59:27

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
15页	130K
描述
TRANSISTOR 4000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SMD, SC-74, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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PBSS5440D/T2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-74
包装说明：	PLASTIC, SMD, SC-74, 6 PIN	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.33	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	110 MHz
Base Number Matches：	1

PBSS5440D/T2 数据手册

PBSS5440D

40 V PNP low V_CEsat(BISS) transistor

Rev. 01 — 27 April 2005

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

PNP low V_CEsatBreakthrough in Small Signal (BISS) single bipolar PNP transistor in a

SOT457 (SC-74) SMD plastic package.

NPN complement: PBSS4440D

1.2 Features

■ Ultra low collector-emitter saturation voltage V_CEsat

■ 4 A continuous collector current capability I_C(DC)

■ Up to 15 A peak current

■ Very low collector-emitter saturation resistance

■ High efﬁciency due to less heat generation

1.3 Applications

■ Power management functions

■ Charging circuits

■ DC-to-DC conversion

■ MOSFET gate driving

■ Power switches (e.g. motors, fans)

■ Thin Film Transistor (TFT) backlight inverter

1.4 Quick reference data

Table 1:

Symbol

V_CEO

I_C

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max Unit

collector-emitter voltage

collector current (DC)

peak collector current

open base

−40

−4

[1]

[2]

I_CM

t = 1 ms or limited by

T_j(max)

−15

R_CEsat

collector-emitter saturation I_C= −6 A;

resistance I_B= −600 mA

mΩ

[1] Device mounted on a ceramic Printed-Circuit Board (PCB), AL₂O₃, standard footprint.

[2] Pulse test: t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02.

12 3 4 5 6 7...15

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PBSS5440D-Q	NEXPERIA	获取价格	40 V, 4 A PNP low VCEsat transistorProduction
PBSS5480X	NEXPERIA	获取价格	80 V, 4 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction
PBSS5480X	NXP	获取价格	80 V, 4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
PBSS5480X,135	NXP	获取价格	PBSS5480X - 80 V, 4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor SOT-89 3-Pin
PBSS5520X	NXP	获取价格	20 V, 5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
PBSS5520X	NEXPERIA	获取价格	20 V, 5 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction
PBSS5520X,135	NXP	获取价格	PBSS5520X - 20 V, 5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor SOT-89 3-Pin
PBSS5540X	NXP	获取价格	40 V, 5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
PBSS5540X	NEXPERIA	获取价格	40 V, 5 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction
PBSS5540X,135	NXP	获取价格	PBSS5540X - 40 V, 5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor SOT-89 3-Pin

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