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PBSS5540X

更新时间： 2024-11-15 11:14:35

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安世 - NEXPERIA		/
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13页	234K
描述
40 V, 5 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction

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PBSS5540X 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.7
Is Samacsys：	N	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	端子面层：	Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

PBSS5540X 数据手册

PBSS5540X

40 V, 5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

15 April 2020

Product data sheet

1. General description

PNP low V_CEsattransistor in a medium power SOT89 (SC-62) package.

NPN complement: PBSS4540X.

2. Features and benefits

•

Low collector-emitter saturation voltage V_CEsat

•

High collector current capability: I_Cand I_CM

High efficiency leading to less heat generation.

AEC-Q101 qualified

3. Applications

•

Supply line switching circuits

Battery management applications

DC/DC converter applications

Strobe flash units

Medium power driver (e.g. relays, buzzers and motors).

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_CEO

collector-emitter

voltage

open base

-40

I_C

collector current

-4

I_CM

peak collector current single pulse; t_p≤ 10 ms

-10

R_CEsat

collector-emitter

saturation resistance

I_C= -5 A; I_B= -500 mA; t_p≤ 300 µs;

pulsed; δ ≤ 0.02; T_amb= 25 °C

mΩ

12 3 4 5 6 7...13

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