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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.51 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 | JESD-30 代码： | S-PDSO-N3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 参考标准： | AEC-Q101; IEC-60134 | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PBSS5360PAS-Q | NEXPERIA |
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60 V, 3A PNP low VCEsat transistorProduction |
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| PBSS5360X | NEXPERIA |
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60 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS5360Z | NEXPERIA |
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60 V, 3 A PNP low VCEsat transistorProduction |
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| PBSS5360Z-Q | NEXPERIA |
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60 V, 3 A PNP low VCEsat transistorProduction |
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| PBSS5420D | NXP |
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20 V, 4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS5420D | NEXPERIA |
获取价格 |
20 V, 4 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS5420D,115 | NXP |
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PBSS5420D - 20 V, 4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor TSOP 6-Pin |
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| PBSS5420D-1 | NXP |
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20 V, 4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS5420D-125 | NXP |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,20V V(BR)CEO,4A I(C),SC-74 |
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| PBSS5420D-165 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,20V V(BR)CEO,4A I(C),SC-74 |
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