PBSS5420DT/R

更新时间： 2024-11-14 13:12:15

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恩智浦 - NXP		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
14页	124K
描述
TRANSISTOR,BJT,PNP,20V V(BR)CEO,4A I(C),SC-74

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PBSS5420DT/R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	4 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	80
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

PBSS5420DT/R 数据手册

PBSS5420D

20 V, 4 A PNP low V_CEsat(BISS) transistor

Rev. 02 — 29 September 2008

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

PNP low V_CEsatBreakthrough in Small Signal (BISS) transistor in a small SOT457 (SC-74)

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN complement: PBSS4420D.

1.2 Features

I Very low collector-emitter saturation resistance

I Ultra low collector-emitter saturation voltage

I 4 A continuous collector current

I Up to 15 A peak current

I High efﬁciency leading to less heat generation

1.3 Applications

I Power management functions

I Charging circuits

I DC-to-DC conversion

I MOSFET gate driving

I Power switches (e.g. motors, fans)

I Thin Film Transistor (TFT) backlight inverter

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_CEO

I_C

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

−20

−4

Unit

collector-emitter voltage

collector current

open base

[1]

[2]

I_CM

peak collector current

single pulse;

t_p≤ 1 ms

−15

R_CEsat

collector-emitter saturation I_C= −4 A;

resistance I_B= −400 mA

mΩ

[1] Device mounted on a ceramic Printed-Circuit Board (PCB), Al₂O₃, standard footprint.

[2] Pulse test: t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02.

12 3 4 5 6 7...14

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