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PBSS4540X

更新时间： 2024-11-19 11:13:55

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安世 - NEXPERIA		/
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13页	237K
描述
40 V, 5 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction

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PBSS4540X 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
峰值回流温度（摄氏度）：	260	端子面层：	Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

PBSS4540X 数据手册

PBSS4540X

40 V, 5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

15 April 2020

Product data sheet

1. General description

NPN low V_CEsattransistor in a medium power SOT89 (SC-62) package.

PNP complement: PBSS5540X.

2. Features and benefits

•

High h_FEand low V_CEsatat high current operation

•

High collector current capability: I_Cmaximum 4 A

High efficiency leading to less heat generation.

AEC-Q101 qualified

3. Applications

•

Medium power peripheral drivers (e.g. fan and motor)

Strobe flash units for DSC and mobile phones

Inverter applications (e.g. TFT displays)

Power switch for LAN and ADSL systems

Medium power DC-to-DC conversionc

Battery chargers.

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_CEO

collector-emitter

voltage

open base

I_C

collector current

I_CM

peak collector current single pulse; t_p≤ 10 ms

R_CEsat

collector-emitter

saturation resistance

I_C= 5 A; I_B= 500 mA; t_p≤ 300 µs;

pulsed; δ ≤ 0.02; T_amb= 25 °C

mΩ

12 3 4 5 6 7...13

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