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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.52 | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.48 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| PBSS5120T,215 | NXP |
功能相似  |
PBSS5120T - 20 V; 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor TO-236 3-Pin |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PBSS5120T,215 | NXP |
获取价格 |
PBSS5120T - 20 V; 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor TO-236 3-Pin |
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| PBSS5130PAP | NXP |
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30 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS5130PAP | NEXPERIA |
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30 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS5130PAP-Q | NEXPERIA |
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30 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat transistorProduction |
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| PBSS5130QA | NXP |
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30 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS5130QAZ | NXP |
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PBSS5130QA - 30 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor DFN 3-Pin |
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| PBSS5130T | NXP |
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30 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS5130T | NEXPERIA |
获取价格 |
30 V; 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS5130T | YANGJIE |
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SOT-23 |
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| PBSS5130T,215 | NXP |
获取价格 |
PBSS5130T - 30 V; 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor TO-236 3-Pin |
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