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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.37 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.48 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| PBSS5120T,215 | NXP |
功能相似  |
PBSS5120T - 20 V; 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor TO-236 3-Pin |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PBSS5120T,215 | NXP |
获取价格 |
PBSS5120T - 20 V; 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor TO-236 3-Pin |
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| PBSS5130PAP | NXP |
获取价格 |
30 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS5130PAP | NEXPERIA |
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30 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS5130PAP-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
30 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat transistorProduction |
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| PBSS5130QA | NXP |
获取价格 |
30 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS5130QAZ | NXP |
获取价格 |
PBSS5130QA - 30 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor DFN 3-Pin |
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| PBSS5130T | NXP |
获取价格 |
30 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS5130T | NEXPERIA |
获取价格 |
30 V; 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS5130T | YANGJIE |
获取价格 |
SOT-23 |
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| PBSS5130T,215 | NXP |
获取价格 |
PBSS5130T - 30 V; 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor TO-236 3-Pin |
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