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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | 1.60 X 1.20 MM, 0.55 MM HEIGHT, ULTRA THIN, PLASTIC PACKAGE-6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.38 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 160 | JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| ZXTP2041FTA | DIODES |
功能相似  |
40V PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
|
| FMMT591ATA | DIODES |
功能相似 |
SOT23 PNP silicon planar medium power transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PBSS5160DS | NXP |
获取价格 |
60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS5160DS | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction |
|
| PBSS5160DS,115 | NXP |
获取价格 |
PBSS5160DS - 60 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor TSOP 6-Pin |
|
| PBSS5160DS-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat transistorProduction |
|
| PBSS5160DST/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PAIR,PNP,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-457 |
|
| PBSS5160K | NXP |
获取价格 |
60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
|
| PBSS5160K | PHILIPS |
获取价格 |
Transistor |
|
| PBSS5160K,115 | NXP |
获取价格 |
PBSS5160K |
|
| PBSS5160PAP | NXP |
获取价格 |
60 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor |
|
| PBSS5160PAP | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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