PBSS5160V

更新时间： 2024-11-18 10:17:59

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
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14页	146K
描述
60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

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PBSS5160V 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.31	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	220 MHz	Base Number Matches：	1

PBSS5160V 数据手册

PBSS5160V

60 V, 1 A PNP low V_CEsat(BISS) transistor

Rev. 03 — 14 December 2009

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

PNP low V_CEsatBreakthrough in Small Signals (BISS) transistor in a SOT666 plastic

package.

NPN complement: PBSS4160V.

1.2 Features

Low collector-emitter saturation voltage V_CEsat

High collector current capability I_Cand I_CM

High efficiency leading to less heat generation

Reduces printed-circuit board area required

Cost effective replacement for medium power transistors BCP52 and BCX52

1.3 Applications

Major application segments

Automotive

Telecom infrastructure

Industrial

Power management

DC-to-DC conversion

Supply line switching

Peripheral driver

Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)

Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors)

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_CEO

I_C

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

−60

−1

Unit

collector-emitter voltage

collector current (DC)

peak collector current

equivalent on-resistance

open base

[1]

I_CM

−2

R_CEsat

I_C= −1 A;

220

330

mΩ

I_B= −100 mA

[1] Device mounted on a FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.

12 3 4 5 6 7...14

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PBSS5160V 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PBSS5160V,115	NXP	功能相似	PBSS5160V - 60 V, 1 A PNP low V_CEsat (BISS) transistor SOT 6-Pin

与PBSS5160V相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PBSS5160V,115	NXP	获取价格	PBSS5160V - 60 V, 1 A PNP low V_CEsat (BISS) transistor SOT 6-Pin
PBSS5220PAPS	NEXPERIA	获取价格	20V, 2 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) double transistorProduction
PBSS5220PAPS-Q	NEXPERIA	获取价格	20V, 2 A PNP/PNP low VCEsat double transistorProduction
PBSS5220T	NXP	获取价格	20V, 2A PNP low VCEsat (BISS) transistor
PBSS5220T	NEXPERIA	获取价格	20 V, 2 A PNP low VCEsat transistorProduction
PBSS5220T,215	NXP	获取价格	PBSS5220T - 20 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor TO-236 3-Pin
PBSS5220T-Q	NEXPERIA	获取价格	20 V, 2 A PNP low VCEsat transistorProduction
PBSS5220V	NXP	获取价格	20 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
PBSS5230PAP	NXP	获取价格	30 V, 2 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor
PBSS5230PAP	NEXPERIA	获取价格	30 V, 2 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction

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