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PBSS5240Y

更新时间: 2024-11-20 22:44:31
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 51K
描述
40 V low VCEsat PNP transistor

PBSS5240Y 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SC-88
包装说明:PLASTIC, SC-88, 6 PIN针数:6
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.2最大集电极电流 (IC):2 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:6
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.27 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

PBSS5240Y 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
age  
PBSS5240Y  
40 V low VCEsat PNP transistor  
Product specification  
2002 Feb 28  
Supersedes data of 2001 Oct 24  

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