是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | TO-236 | 包装说明: | PLASTIC PACKAGE-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.36 |
最大集电极电流 (IC): | 2 A | 集电极-发射极最大电压: | 20 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 225 |
JEDEC-95代码: | TO-236AB | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | PNP |
最大功率耗散 (Abs): | 0.48 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 100 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
PBSS5320T,215 | NXP |
类似代替 |
PBSS5320T - 20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor TO-236 3-Pin | |
NSS20200LT1G | ONSEMI |
功能相似 |
20 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PBSS5220T-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
20 V, 2 A PNP low VCEsat transistorProduction | |
PBSS5220V | NXP |
获取价格 |
20 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor | |
PBSS5230PAP | NXP |
获取价格 |
30 V, 2 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor | |
PBSS5230PAP | NEXPERIA |
获取价格 |
30 V, 2 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction | |
PBSS5230PAP,115 | ETC |
获取价格 |
TRANS 2PNP 30V 2A 6HUSON | |
PBSS5230QA | NXP |
获取价格 |
30 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor | |
PBSS5230T | NXP |
获取价格 |
30 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor | |
PBSS5230T | NEXPERIA |
获取价格 |
30 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction | |
PBSS5230T | YANGJIE |
获取价格 |
SOT-23 | |
PBSS5230T-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
30 V, 2 A PNP low VCEsat transistorProduction |