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PBSS5220PAPS

更新时间： 2024-11-22 11:09:59

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安世 - NEXPERIA		开关光电二极管晶体管
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17页	725K
描述
20V, 2 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) double transistorProduction

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PBSS5220PAPS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	2.07
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	S-PDSO-N6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	95 MHz

PBSS5220PAPS 数据手册

PBSS5220PAPS

20V, 2 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) double transistor

14 December 2015

Product data sheet

1. General description

PNP/PNP low V_CEsatBreakthrough In Small Signal (BISS) double transistor in a leadless

medium power DFN2020D-6 (SOT1118D) Surface-Mounted Device (SMD) plastic

package with visible and solderable side pads.

NPN/NPN complement: PBSS4220PANS

2. Features and benefits

Very low collector-emitter saturation voltage V_CEsat

High collector current capability I_Cand I_CM

•

High collector current gain h_FEat high I_C

Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements

Exposed heat sink for excellent thermal and electrical conductivity

High energy efficiency due to less heat generation

Suitable for Automatic Optical Inspection (AOI) of solder joints

AEC-Q101 qualified

3. Applications

Load switch

•

Battery-driven devices

Power management

Charging circuits

LED lighting

Power switches (e.g. motors, fans)

4. Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Per transistor

V_CEO

collector-emitter

voltage

open base

-20

I_C

collector current

-2

-3

I_CM

peak collector current single pulse; t_p≤ 1 ms

12 3 4 5 6 7...17

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