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PBSS5220T

更新时间： 2024-11-19 11:14:47

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安世 - NEXPERIA		开关光电二极管晶体管
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10页	746K
描述
20 V, 2 A PNP low VCEsat transistorProduction

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PBSS5220T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	260
端子面层：	Tin (Sn)	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

PBSS5220T 数据手册

PBSS5220T

20 V, 2 A PNP low VCEsat transistor

1 July 2023

Product data sheet

1. General description

PNP low V_CEsattransistor in a SOT23 small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

2. Features and benefits

•

Low collector-emitter saturation voltage V_CEsat

•

High collector current capability: I_Cand I_CM

Higher efficiency leading to less heat generation

3. Applications

•

DC-to-DC conversion

Supply line switching

Battery charger

LCD backlighting

Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)

Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors)

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_CEO

collector-emitter

voltage

open base

-20

I_C

collector current

-2

I_CM

peak collector current single pulse; t_p≤ 1 ms

-3

R_CEsat

collector-emitter

I_C= -2 A; I_B= -200 mA; pulsed; t_p≤

113

mΩ

saturation resistance

300 µs; δ ≤ 0.02; T_amb= 25 °C

5. Pinning information

Table 2. Pinning information

Symbol

Description

base

Simplified outline

Graphic symbol

emitter

collector

sym013

SOT23

12 3 4 5 6 7...10

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