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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FMMT591ATA
FMMT591ATA PDF预览

FMMT591ATA

更新时间： 2024-11-21 11:50:51
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 139K
描述
SOT23 PNP silicon planar medium power transistor

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FMMT591ATA 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.91最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

FMMT591ATA 数据手册

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A Product Line of  
Diodes Incorporated  
FMMT591A  
SOT23 PNP silicon planar medium power transistor  
Features  
Low equivalent on resistance R  
Part Marking Detail -91A  
= 350m⍀ at 1A  
CE(sat)  
Complementary type -FMMT491A  
Absolute maximum ratings.  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
V
Collector-Base voltage  
Collector-Emitter voltage  
Emitter-Base voltage  
V
V
V
-40  
CBO  
CEO  
EBO  
-40  
V
-5  
V
Peak pulse current  
I
I
I
-2  
-1  
A
CM  
Continuous Collector current  
Base current  
A
C
B
-200  
mA  
mW  
Power dissipation at Tamb=25oC  
Operating an storage temperature range  
P
500  
tot  
T ; T  
-55 to +150  
°C  
j
STG  
Electrical characteristics (at T  
= 25°C)  
amb  
Parameter  
Symbol  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
Min  
Max  
Unit  
V
Conditions  
Collector-Base breakdown voltage  
Collector-Emitter breakdown voltage  
-40  
-40  
-5  
IC=-100␮A  
IC=-10mA (*)  
IE=-100␮A  
VCB=-30V  
VEB=-4V  
V
Emitter-Base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
V(BR)EBO  
ICBO  
V
-100  
-100  
-100  
-0.2  
nA  
nA  
nA  
V
Emitter cut-off current  
IEBO  
Collector-Emitter cut-off current  
Collector-Emitter saturation voltage  
ICES  
VCES=-30V  
IC=-100mA, IB=-1mA(*)  
IC=-500mA, IB=-20mA(*)  
IC=-1A, IB=-100mA(*)  
IC=-1A, IB=-50mA(*)  
VCE(sat)  
-0.35  
-0.5  
-1.1  
-1.0  
V
V
V
V
Base-Emitter saturation voltage  
Base-Emitter turn-on voltage  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
IC=-1A, VCE=-5V(*)  
Static forward current transfer ratio  
300  
300  
IC=-1mA,  
IC=-100mA(*)  
IC=-500mA(*), VCE=-5V  
IC=-1A(*)  
800  
250  
160  
30  
IC=-2A(*)  
Transition frequency  
fT  
150  
MHz  
pF  
IC=-50mA, VCE=-10V  
f=100MHz  
VCB=-10V, f=1MHz  
Output capacitance  
Cobo  
10  
NOTES:  
(*) Measured under pulse conditions. Pulse width=300␮s. Duty cycle 2%  
Issue 4 - August 2008  
© Diodes Incorporated, 2008  
1
www.zetex.com  
www.diodes.com  
1234

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FMMT591ATA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FMMT591ATC DIODES

类似代替

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ZXTP2041FTA DIODES

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FMMT591ATC DIODES

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 		Tape:3K/Reel,120K/Ctn;
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 		Tape:3K/Reel,120K/Ctn;
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 		Tape: 3K/Reel,120K/Ctn;
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 		SOT-23
FMMT591QTA DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
FMMT591TA DIODES

获取价格

 		Medium power PNP transistor in SOT23

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