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FMMT593-TP-HF PDF预览

FMMT593-TP-HF

更新时间： 2024-11-21 20:53:51
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 218K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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FMMT593-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.69
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.25 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

FMMT593-TP-HF 数据手册

 浏览型号FMMT593-TP-HF的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
FMMT593  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
Pin Configuration  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Top View  
PNP  
•
Power dissipation: PCM=0.25W(Tamb=25?)  
C
•
·
·
·
Collector current: Ic=1A  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Plastic-Encapsulate  
Transistor  
593  
Moisure Sensitivity Level 1  
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
B
E
Maximum Ratings*  
Symbol  
Rating  
Rating  
Unit  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
100  
120  
5.0  
V
V
V
SOT-23  
A
D
Collector Current,  
1.0  
A
Ptot  
Power Dissipation at Tamb=25R  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
250  
mW  
TJ  
-55 to +150  
-55 to +150  
R
R
B
C
TSTG  
F
E
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
(IC=10mAdc, IB=0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=100µAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=100µAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=100Vdc, IE=0Vdc)  
Emitter Cutoff Current  
H
G
J
---  
---  
Vdc  
Vdc  
100  
120  
5.0  
---  
K
DIMENSIONS  
---  
Vdc  
INCHES  
MIN  
MM  
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.89  
MAX  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
.100  
1.12  
.180  
.51  
NOTE  
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
Vdc  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.120  
.104  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
IEBO  
(VEB=4.0Vdc, IC=0)  
---  
VCE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage*  
(IC=250mAdc, IB=25mAdc)  
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage*  
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)  
Base-Emitter Voltage*  
(VCE=5Vdc, IC=1mAdc)  
DC Current Gain  
(VCE=5Vdc, IC=1mAdc)  
---  
---  
0.2  
0.3  
F
G
H
J
.0005  
.035  
.003  
.015  
VBE(sat)  
.085  
.37  
1.1  
1
Vdc  
Vdc  
---  
---  
K
VBE  
(on)  
Suggested Solder  
Pad Layout  
hFE  
100  
100  
100  
50  
---  
(VCE=5Vdc, IC=250mAdc)*  
(VCE=5Vdc, IC=0.5Adc)*  
(VCE=5Vdc, IC=1Adc)*  
---  
---  
300  
---  
.031  
.800  
.035  
.900  
fT  
Transition Frequency  
(IC=50mAdc, VCE=10Vdc, f=100MHz)  
Output Capacitance  
(VCB=10Vdc, f=1.0MHz)  
150  
---  
---  
MHz  
pF  
Cob  
.079  
2.000  
inches  
mm  
5
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300us. Duty cycle!2%  
.037  
.950  
.037  
.950  
www.mccsemi.com  
Revision: B  
2013/01/01  
1 of 2  
12

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