FMMT593

更新时间： 2024-01-26 11:30:51

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美微科 - MCC		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	197K
描述
PNP Plastic-Encapsulate Transistor

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FMMT593 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

FMMT593 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

FMMT593

Micro Commercial Components

Features

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

Pin Configuration

RoHS Compliant. See ordering information)

Power dissipation: P_CM=0.25W(T_amb=25?)

Collector current: I_c=1A

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

Top View

PNP

•

Plastic-Encapsulate

Transistor

593

Maximum Ratings*

Symbol

Rating

Unit

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

100

120

5.0

SOT-23

Collector Current,

1.0

P_tot

Power Dissipation at Tamb=25R

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

250

T_J

-55 to +150

T_STG

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage*

(I_C=10mAdc, I_B=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=100µAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=100µAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

(V_CB=100Vdc, I_E=0Vdc)

Emitter Cutoff Current

---

Vdc

100

120

5.0

---

DIMENSIONS

---

Vdc

INCHES

MIN

DIM

MAX

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

NOTE

0.1

uAdc

Vdc

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

I_EBO

(V_EB=4.0Vdc, I_C=0)

---

V_CE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage*

(I_C=250mAdc, I_B=25mAdc)

(I_C=500mAdc, I_B=50mAdc)

Base-Emitter Saturation Voltage*

(I_C=500mAdc, I_B=50mAdc)

Base-Emitter Voltage*

(V_CE=5Vdc, I_C=1mAdc)

DC Current Gain

(V_CE=5Vdc, I_C=1mAdc)

---

0.2

0.3

.0005

.035

.003

.015

V_BE(sat)

.085

.37

1.1

Vdc

---

V_BE

(on)

Suggested Solder

Pad Layout

h_FE

100

---

(V_CE=5Vdc, I_C=250mAdc)*

(V_CE=5Vdc, I_C=0.5Adc)*

(V_CE=5Vdc, I_C=1Adc)*

---

300

---

.031

.800

.035

.900

f_T

Transition Frequency

(I_C=50mAdc, V_CE=10Vdc, f=100MHz)

Output Capacitance

(V_CB=10Vdc, f=1.0MHz)

150

---

MHz

C_ob

.079

2.000

inches

* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300us. Duty cycle!2%

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi.com

Revision: A

2011/01/01

1 of 2

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FMMT593_13	DIODES	100V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT23	获取价格
FMMT593E	Galaxy Microelectronics	100V,1A,General Purpose PNP Bipolar Transistor	获取价格
FMMT593Q	DIODES	PNP, 100V, 1A, SOT23	获取价格
FMMT593QTA	DIODES	100V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT23	获取价格
FMMT593TA	DIODES	100V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT23	获取价格
FMMT593TC	DIODES	100V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT23	获取价格

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