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FMMT593E

更新时间： 2024-11-02 17:01:27

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银河微电 - BL Galaxy Electrical		/
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4页	290K
描述
100V,1A,General Purpose PNP Bipolar Transistor

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FMMT593E 数据手册

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

FMMT593E

Features



High saturation voltage

Complementary to FMMT493E

Excellent h_FElinearity

Mechanic al Data



Case: SOT-89

Molding Compound: UL Flammability Classification Rating 94V-0

SOT-89

Terminals: Matte tin-plated leads; solderability-per MIL-STD-202, Method 208

Ordering Information

Part Number

Package

SOT-89

Shipping Quantity

Marking Code

593

FMMT593E

1000 pcs / Tape & Reel

Maximum Ratings (@ T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Current (continuous)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

-120

-100

-5

Unit

-1

Thermal Characteristics

Parameter

Power Dissipation( T_A= 25°C )

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

Symbol

P_tot

Value

550

Unit

°C

T_J

-55 ~ +150

T_STG

°C

STM0616A: March 2022

www.gmesemi.com

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