FMMT593-TP

更新时间： 2024-11-21 12:59:31

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	197K
描述
暂无描述

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FMMT593-TP 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

FMMT593

Micro Commercial Components

Features

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

Pin Configuration

RoHS Compliant. See ordering information)

Power dissipation: P_CM=0.25W(T_amb=25?)

Collector current: I_c=1A

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

Top View

PNP

•

Plastic-Encapsulate

Transistor

593

Maximum Ratings*

Symbol

Rating

Unit

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

100

120

5.0

SOT-23

Collector Current,

1.0

P_tot

Power Dissipation at Tamb=25R

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

250

T_J

-55 to +150

T_STG

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage*

(I_C=10mAdc, I_B=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=100µAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=100µAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

(V_CB=100Vdc, I_E=0Vdc)

Emitter Cutoff Current

---

Vdc

100

120

5.0

---

DIMENSIONS

---

Vdc

INCHES

MIN

DIM

MAX

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

NOTE

0.1

uAdc

Vdc

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

I_EBO

(V_EB=4.0Vdc, I_C=0)

---

V_CE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage*

(I_C=250mAdc, I_B=25mAdc)

(I_C=500mAdc, I_B=50mAdc)

Base-Emitter Saturation Voltage*

(I_C=500mAdc, I_B=50mAdc)

Base-Emitter Voltage*

(V_CE=5Vdc, I_C=1mAdc)

DC Current Gain

(V_CE=5Vdc, I_C=1mAdc)

---

0.2

0.3

.0005

.035

.003

.015

V_BE(sat)

.085

.37

1.1

Vdc

---

V_BE

(on)

Suggested Solder

Pad Layout

h_FE

100

---

(V_CE=5Vdc, I_C=250mAdc)*

(V_CE=5Vdc, I_C=0.5Adc)*

(V_CE=5Vdc, I_C=1Adc)*

---

300

---

.031

.800

.035

.900

f_T

Transition Frequency

(I_C=50mAdc, V_CE=10Vdc, f=100MHz)

Output Capacitance

(V_CB=10Vdc, f=1.0MHz)

150

---

MHz

C_ob

.079

2.000

inches

* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300us. Duty cycle!2%

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi.com

Revision: A

2011/01/01

1 of 2

中文翻译

下载PDF

与FMMT593-TP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FMMT593-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN
FMMT596	DIODES	获取价格	SOT 23 PNP silicon planar high voltage transistor
FMMT596	KEXIN	获取价格	High Voltage Transistor
FMMT596	TYSEMI	获取价格	SOT23 PNP silicon planar
FMMT596	ZETEX	获取价格	PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
FMMT596Q	DIODES	获取价格	PNP, 200V, 0.3A, SOT23
FMMT596TA	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
FMMT596TC	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
FMMT597	ZETEX	获取价格	PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
FMMT597	KEXIN	获取价格	High Voltage Transistor

与FMMT593-TP相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

27
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

19
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

47

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FMMT593-TP

FMMT593-TP 数据手册

与FMMT593-TP相关器件

与FMMT593-TP相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FMMT593-TP

FMMT593-TP 数据手册

与FMMT593-TP相关器件

与FMMT593-TP相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？