PBSS5160K

更新时间： 2024-11-18 03:43:23

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恩智浦 - NXP		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
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描述
60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

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PBSS5160K 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.7
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JEDEC-95代码：	TO-236
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.425 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	220 MHz	Base Number Matches：	1

PBSS5160K 数据手册

PBSS5160K

60 V, 1 A PNP low V_CEsat(BISS) transistor

Rev. 02 — 30 June 2005

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

PNP low V_CEsatBreakthrough in Small Signal (BISS) transistor in a SOT346 (SC-59A)

Surface Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN complement: PBSS4160K.

1.2 Features

■ Low collector-emitter saturation voltage V_CEsat

■ High collector current capability: I_Cand I_CM

■ High collector current gain (h_FE) at high I_C

■ High efﬁciency due to less heat generation

■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

1.3 Applications

■ High voltage DC-to-DC conversion

■ High voltage MOSFET gate driving

■ High voltage motor control

■ High voltage power switches (e.g. motors, fans)

■ Automotive applications

1.4 Quick reference data

Table 1:

Symbol

V_CEO

I_C

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

−60

−1

Unit

collector-emitter voltage

collector current (DC)

peak collector current

open base

[1]

[2]

I_CM

single pulse;

t_p≤ 1 ms

−2

R_CEsat

collector-emitter saturation I_C= −1 A;

resistance I_B= −100 mA

255

340

mΩ

[1] Device mounted on a ceramic PCB, Al₂O₃, standard footprint.

[2] Pulse test: t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02.

12 3 4 5 6 7...14

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