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PBSS5160T

更新时间： 2024-11-19 11:16:07

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安世 - NEXPERIA		PC 开关光电二极管晶体管
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60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction

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PBSS5160T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.67
Samacsys Confidence：	3	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	170745	Samacsys Pin Count：	3
Samacsys Part Category：	Integrated Circuit	Samacsys Package Category：	SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：	SOT23 (TO-236AB)	Samacsys Released Date：	2015-04-13 16:49:18
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	220 MHz
Base Number Matches：	1

PBSS5160T 数据手册

PBSS5160T

60 V, 1 A PNP low V_CEsat(BISS) transistor

Rev. 04 — 15 January 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

PNP low V_CEsatBreakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a small

SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN complement: PBSS4160T.

1.2 Features

Low collector-emitter saturation voltage V_CEsat

High collector current capability I_Cand I_CM

High efficiency due to less heat generation

Reduces Printed-Circuit Board (PCB) area required

Cost-effective replacement for medium power transistors BCP52 and BCX52

1.3 Applications

Major application segments:

Automotive

Telecom infrastructure

Industrial

Power management:

DC-to-DC conversion

Supply line switching

Peripheral driver:

Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)

Inductive load drivers (e.g. relays, buzzers and motors)

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_CEO

I_C

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

−60

−1

Unit

collector-emitter voltage open base

collector current

I_CM

peak collector current

t = 1 ms or limited

−2

by T_j(max)

[1]

R_CEsat

collector-emitter

I_C= −1 A;

220

330

mΩ

saturation resistance

I_B= −100 mA

[1] Pulse test: t_p≤ 300 μs; δ ≤ 0.02.

12 3 4 5 6 7...11

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PBSS5160U	NXP	获取价格	60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
PBSS5160U-Q	NEXPERIA	获取价格	60 V, 1 A PNP low VCEsat transistorProduction
PBSS5160UT/R	NXP	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-323
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