PBSS5160UT/R

更新时间： 2024-11-18 13:12:15

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	141K
描述
TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-323

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PBSS5160UT/R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	100	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.415 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

PBSS5160UT/R 数据手册

PBSS5160DS

60 V, 1 A PNP low V_CEsat(BISS) transistor

Rev. 02 — 28 June 2005

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

PNP/PNP low V_CEsatBreakthrough in Small Signal (BISS) transistor pair in a SOT457

(SC-74) Surface Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN complement: PBSS4160DS.

1.2 Features

■ Low collector-emitter saturation voltage V_CEsat

■ High collector current capability: I_Cand I_CM

■ High collector current gain (h_FE) at high I_C

■ High efﬁciency due to less heat generation

■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

1.3 Applications

■ Dual low power switches (e.g. motors, fans)

■ Automotive applications

1.4 Quick reference data

Table 1:

Symbol

V_CEO

I_C

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

−60

−1

Unit

collector-emitter voltage

collector current (DC)

peak collector current

open base

[1]

[2]

I_CM

single pulse;

t_p≤ 1 ms

−2

R_CEsat

collector-emitter saturation I_C= −1 A;

resistance I_B= −100 mA

250

330

mΩ

[1] Device mounted on a ceramic PCB, Al₂O₃, standard footprint.

[2] Pulse test: t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02.

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