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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.66 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.8 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 220 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PBSS5160U-Q | NEXPERIA |
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60 V, 1 A PNP low VCEsat transistorProduction |
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| PBSS5160UT/R | NXP |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-323 |
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| PBSS5160V | NXP |
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60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS5160V,115 | NXP |
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PBSS5160V - 60 V, 1 A PNP low V_CEsat (BISS) transistor SOT 6-Pin |
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| PBSS5220PAPS | NEXPERIA |
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20V, 2 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) double transistorProduction |
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| PBSS5220PAPS-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
20V, 2 A PNP/PNP low VCEsat double transistorProduction |
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| PBSS5220T | NXP |
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20V, 2A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS5220T | NEXPERIA |
获取价格 |
20 V, 2 A PNP low VCEsat transistorProduction |
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| PBSS5220T,215 | NXP |
获取价格 |
PBSS5220T - 20 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor TO-236 3-Pin |
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| PBSS5220T-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
20 V, 2 A PNP low VCEsat transistorProduction |
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