PBSS5160DS

更新时间： 2024-11-17 22:40:59

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	141K
描述
60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PBSS5160DS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SC-74	包装说明：	PLASTIC, SC-74, 6 PIN
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.34
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.45 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	220 MHz
Base Number Matches：	1

PBSS5160DS 数据手册

PBSS5160DS

60 V, 1 A PNP low V_CEsat(BISS) transistor

Rev. 02 — 28 June 2005

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

PNP/PNP low V_CEsatBreakthrough in Small Signal (BISS) transistor pair in a SOT457

(SC-74) Surface Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN complement: PBSS4160DS.

1.2 Features

■ Low collector-emitter saturation voltage V_CEsat

■ High collector current capability: I_Cand I_CM

■ High collector current gain (h_FE) at high I_C

■ High efﬁciency due to less heat generation

■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

1.3 Applications

■ Dual low power switches (e.g. motors, fans)

■ Automotive applications

1.4 Quick reference data

Table 1:

Symbol

V_CEO

I_C

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

−60

−1

Unit

collector-emitter voltage

collector current (DC)

peak collector current

open base

[1]

[2]

I_CM

single pulse;

t_p≤ 1 ms

−2

R_CEsat

collector-emitter saturation I_C= −1 A;

resistance I_B= −100 mA

250

330

mΩ

[1] Device mounted on a ceramic PCB, Al₂O₃, standard footprint.

[2] Pulse test: t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02.

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

与PBSS5160DS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PBSS5160DS,115	NXP	获取价格	PBSS5160DS - 60 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor TSOP 6-Pin
PBSS5160DS-Q	NEXPERIA	获取价格	60 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat transistorProduction
PBSS5160DST/R	NXP	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PAIR,PNP,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-457
PBSS5160K	NXP	获取价格	60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
PBSS5160K	PHILIPS	获取价格	Transistor
PBSS5160K,115	NXP	获取价格	PBSS5160K
PBSS5160PAP	NXP	获取价格	60 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor
PBSS5160PAP	NEXPERIA	获取价格	60 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction
PBSS5160PAP,115	NXP	获取价格	PBSS5160PAP - 60 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor DFN 6-Pin
PBSS5160PAPS	NEXPERIA	获取价格	60 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction

与PBSS5160DS相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

36

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PBSS5160DS

PBSS5160DS 技术参数

PBSS5160DS 数据手册

与PBSS5160DS相关器件

与PBSS5160DS相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PBSS5160DS

PBSS5160DS 技术参数

PBSS5160DS 数据手册

与PBSS5160DS相关器件

与PBSS5160DS相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？