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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-236 | 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.37 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.48 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FMMT718TA | DIODES |
功能相似  |
SOT23 PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR |
|
| PBSS5120T | NXP |
功能相似 |
20 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PBSS5130PAP | NXP |
获取价格 |
30 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor |
|
| PBSS5130PAP | NEXPERIA |
获取价格 |
30 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction |
|
| PBSS5130PAP-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
30 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat transistorProduction |
|
| PBSS5130QA | NXP |
获取价格 |
30 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
|
| PBSS5130QAZ | NXP |
获取价格 |
PBSS5130QA - 30 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor DFN 3-Pin |
|
| PBSS5130T | NXP |
获取价格 |
30 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
|
| PBSS5130T | NEXPERIA |
获取价格 |
30 V; 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction |
|
| PBSS5130T | YANGJIE |
获取价格 |
SOT-23 |
|
| PBSS5130T,215 | NXP |
获取价格 |
PBSS5130T - 30 V; 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor TO-236 3-Pin |
|
| PBSS5140D | NXP |
获取价格 |
40 V low VCEsat PNP transistor |
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