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PBSS5140U

更新时间: 2024-01-29 19:10:48
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 69K
描述
40 V low VCEsat PNP transistor

PBSS5140U 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.69最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):160JESD-30 代码:R-PDSO-F6
元件数量:1端子数量:6
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):150 MHz
Base Number Matches:1

PBSS5140U 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
ge  
PBSS5140U  
40 V low VCEsat PNP transistor  
Product specification  
2001 Jul 20  
Supersedes data of 2001 Mar 27  

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