PBSS5130PAP

更新时间： 2024-11-18 12:32:47

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恩智浦 - NXP		晶体小信号双极晶体管
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17页	253K
描述
30 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor

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PBSS5130PAP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
峰值回流温度（摄氏度）：	260	端子面层：	TIN
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

PBSS5130PAP 数据手册

PBSS5130PAP

30 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor

12 December 2012

Product data sheet

1. General description

PNP/PNP low V_CEsatBreakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless

medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN/PNP complement: PBSS4130PANP. NPN/NPN complement: PBSS4130PAN.

2. Features and benefits

Very low collector-emitter saturation voltage V_CEsat

High collector current capability I_Cand I_CM

High collector current gain h_FEat high I_C

Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements

High energy efficiency due to less heat generation

AEC-Q101 qualified

•

3. Applications

Load switch

•

Battery-driven devices

Power management

Charging circuits

Power switches (e.g. motors, fans)

4. Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Per transistor

V_CEO

collector-emitter

voltage

open base

-30

I_C

collector current

-1

-2

I_CM

peak collector current single pulse; t_p≤ 1 ms

Per transistor

R_CEsat

collector-emitter

I_C= -1 A; I_B= -0.1 A; pulsed;

250

mΩ

saturation resistance

t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T_amb= 25 °C

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