是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.52 | 最大集电极电流 (IC): | 1 A |
配置: | Single | 最小直流电流增益 (hFE): | 200 |
最高工作温度: | 150 °C | 极性/信道类型: | PNP |
最大功率耗散 (Abs): | 0.48 W | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 标称过渡频率 (fT): | 100 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
PBSS5120T,215 | NXP |
功能相似 ![]() |
PBSS5120T - 20 V; 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor TO-236 3-Pin |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PBSS5120T,215 | NXP |
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PBSS5120T - 20 V; 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor TO-236 3-Pin |
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PBSS5130PAP | NXP |
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30 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor |
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PBSS5130PAP | NEXPERIA |
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30 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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PBSS5130PAP-Q | NEXPERIA |
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30 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat transistorProduction |
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PBSS5130QA | NXP |
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30 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
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PBSS5130QAZ | NXP |
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PBSS5130QA - 30 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor DFN 3-Pin |
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PBSS5130T | NXP |
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30 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
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PBSS5130T | NEXPERIA |
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30 V; 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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PBSS5130T | YANGJIE |
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SOT-23 |
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PBSS5130T,215 | NXP |
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PBSS5130T - 30 V; 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor TO-236 3-Pin |
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