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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.75 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 6 A | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 180 |
| JESD-30 代码： | S-PDSO-N3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 115 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 570 ns | 最大开启时间（吨）： | 80 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PBSS4630PA,115 | NXP |
获取价格 |
PBSS4630PA - 30 V, 6 A NPN low V_CEsat (BISS) transistor DFN 3-Pin |
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| PBSS5112PAP | NXP |
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120 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS5112PAP | NEXPERIA |
获取价格 |
120 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS5112PAP,115 | NXP |
获取价格 |
PBSS5112PAP - 120 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor DFN 6-Pin |
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| PBSS5120T | NXP |
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20 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
|
| PBSS5120T | NEXPERIA |
获取价格 |
20 V; 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction |
|
| PBSS5120T | YANGJIE |
获取价格 |
SOT-23 |
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| PBSS5120T,215 | NXP |
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PBSS5120T - 20 V; 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor TO-236 3-Pin |
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| PBSS5130PAP | NXP |
获取价格 |
30 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor |
|
| PBSS5130PAP | NEXPERIA |
获取价格 |
30 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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