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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SC-73 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.2 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 300 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 130 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PBSS4560PA | NXP |
获取价格 |
60 V, 6 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS4560PA | NEXPERIA |
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60 V, 6 A NPN low V_CEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS4560PA,115 | NXP |
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PBSS4560PA - 60 V, 6 A NPN low V_CEsat (BISS) transistor DFN 3-Pin |
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| PBSS4580PA | NXP |
获取价格 |
80 V, 5.6 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS4580PA | NEXPERIA |
获取价格 |
80 V, 5.6 A NPN low V_CEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS4580PA_15 | NXP |
获取价格 |
80 V, 5.6 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS4612PA,115 | NXP |
获取价格 |
PBSS4612PA - 12 V, 6 A NPN low V_CEsat (BISS) transistor DFN 3-Pin |
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| PBSS4620PA | NXP |
获取价格 |
6000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2 X 2 MM, 0.65 MM HEIGHT, ULTRA THIN, PLAST |
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| PBSS4620PA | NEXPERIA |
获取价格 |
20 V, 6 A NPN low V_CEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS4630PA | NXP |
获取价格 |
30 V, 6 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
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