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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DFN |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 1.24 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 6 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 12 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 | JESD-30 代码： | R-PDSO-N3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 335 ns | 最大开启时间（吨）： | 80 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PBSS4620PA | NXP |
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6000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2 X 2 MM, 0.65 MM HEIGHT, ULTRA THIN, PLAST |
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| PBSS4620PA | NEXPERIA |
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20 V, 6 A NPN low V_CEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS4630PA | NXP |
获取价格 |
30 V, 6 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS4630PA | NEXPERIA |
获取价格 |
30 V, 6 A NPN low V_CEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS4630PA,115 | NXP |
获取价格 |
PBSS4630PA - 30 V, 6 A NPN low V_CEsat (BISS) transistor DFN 3-Pin |
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| PBSS5112PAP | NXP |
获取价格 |
120 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS5112PAP | NEXPERIA |
获取价格 |
120 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction |
|
| PBSS5112PAP,115 | NXP |
获取价格 |
PBSS5112PAP - 120 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor DFN 6-Pin |
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| PBSS5120T | NXP |
获取价格 |
20 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS5120T | NEXPERIA |
获取价格 |
20 V; 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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