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PBSS4540Z

更新时间: 2024-11-17 22:26:51
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 48K
描述
NPN medium power transistor

PBSS4540Z 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SC-73
包装说明:PLASTIC, SC-73, 4 PIN针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.17Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):5 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):300JESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):1.35 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):130 MHzBase Number Matches:1

PBSS4540Z 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
handbook, halfpage  
PBSS4540Z  
NPN medium power transistor  
Preliminary specification  
1999 Aug 04  

PBSS4540Z 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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