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PBSS4140T

更新时间： 2024-09-30 11:14:47

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安世 - NEXPERIA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	652K
描述
40 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction

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PBSS4140T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.67
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

PBSS4140T 数据手册

PBSS4140T

40 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

1 April 2023

Product data sheet

1. General description

NPN low V_CEsattransistor in a small SOT23 plastic package. PNP complement: PBSS5140T.

2. Features and benefits

•

Low collector-emitter saturation voltage

•

High current capabilities

Improved device reliability due to reduced heat generation

3. Applications

•

General purpose switching and muting

LCD backlighting

Supply line switching circuits

Battery driven equipment (mobile phones, video cameras and hand-held devices).

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_CEO

collector-emitter

voltage

open base

I_CM

peak collector current single pulse; t_p≤ 1 ms

R_CEsat

collector-emitter

I_C= 500 mA; I_B= 50 mA; pulsed; t_p≤

260

500

mΩ

saturation resistance

300 µs; δ ≤ 0.02; T_amb= 25 °C

5. Pinning information

Table 2. Pinning information

Symbol

Description

base

Simplified outline

Graphic symbol

emitter

collector

sym123

SOT23

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N2220	CENTRAL	功能相似	Small Signal Transistors

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